Головна
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України Національна академія наук України Пошук [#] slides slides slides slides slides slides slides slides jtemplate.ru - free Joomla templates Навігаційний перегляд пошуку Навігація Головна Інститут Наукові відділи Проекти Розробки Новини Журнал Пошта Деталі Перегляди: 7201 Ласкаво просимо на сторінку нашого Інституту Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України (далі Інститут) створено у 1960 році на базі відділів та лабораторій Інституту фізики АН УРСР на виконання постанови Ради Міністрів УРСР від 3 вересня 1960р. №1449 «Про організацію у складі Академії наук УРСР Інституту напівпровідників» та відповідної постанови Президії АН УРСР від 7.10.1960р. Вирішальне значення при цьому мав той факт, що в Інституті фізики на той час склалися наукові школи з фізики нерівноважних процесів у напівпровідниках і теорії напівпровідників, очолювані академіком АН УРСР, проф. В.Є. Лашкарьовим і д.ф.-м.н., проф. С.І. Пекарем. Серед заснованих в НАН України премій імені видатних учених України є премії імені В.Є.Лашкарьова і С.І.Пекаря. Великий внесок у створення і організацію подальшої діяльності Інституту зробили також перші керівники науково-дослідних відділів і лабораторій, створених у 1960-1961-х роках: д.ф.-м.н. М.Ф.Дейген, к.ф.-м.н. М.П. Лисиця, д.ф.-м.н., проф. В.І.Ляшенко, к.х.н. І.Б.Мізецька, к.ф.-м.н. О.Г.Міселюк, к.ф.-м.н. Л.І.Даценко, к.ф.-м.н. Е.І.Рашба, к.т.н. С.В.Свєчніков, к.ф.-м.н. О.В.Снітко, к.ф.-м.н. Г.А.Федорус. Згідно з постановою Президії АН України від 30.12.1992р. №353 Інститут напівпровідників перейменовано на «Інститут фізики напівпровідників».Розпорядженням Кабінету Міністрів України від 25.12.2002р. №714-р “Про присвоєння Інституту фізики напівпровідників Національної академії наук України імені В.Є.Лашкарьова” і відповідною постановою Президії НАН України від 04.02.2003р. №6 Інституту присвоєно ім’я В.Є.Лашкарьова. На початку 2015 р. в Інституті працює 82 докторів наук (серед них 51 професорів), 212 кандидати наук. Читати далі... Аспірантура та докторантура Аспірантура: умови прийому . Докторантура: умови прийому . У інституті проводяться захисти дисертацій за спеціальностями 01.04.01, 01.04.07, 05.27.06, 01.04.10 . Деталі Перегляди: 2156 Наукові напрямки Фізика процесів взаємодії електромагнітного випромінювання з речовиною; Фізика низько вимірних систем, мікро- та наноелектроніка; Оптоелектроніка та сонячна енергетика; Напівпровідникове матеріалознавство та сенсорні системи. Наукові відділення Відділення оптоелектроніки Відділення теоретичної фізики Відділення оптики напівпровідників Відділення фотоелектроніки Відділення фізики поверхні та мікроелектроніки Відділення структурного і елементного аналізу напівпровідникових матеріалів і систем Відділення фізико-технологічних проблем напівпровідникової ІЧ-техніки Відділення технологій і матеріалів сенсорної техніки Журнал «SPQEO» Міжнародний науковий журнал "Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics" публікується щоквартально. Індексується у 32 наукометричних базах. Включено до Переліку наукових фахових видань України (т. зв. перелік ВАК). Детальніше . Публікації Інституту за 2012-2016 рр. Рік Статті за кордоном Монографії, навчальна література Статті в Україні Патенти 2016 216 8 107 14 2015 197 9 122 31 2014 271 8 145 24 2013 184 10 166 21 2012 206 4 172 27 Error: No articles to display ІФН НАН України ®2017