Энергонезависимая память нового типа

Компании IBM и TDK разрабатывают новую разновидность энергонезависимой памяти, которая может заменить широко распространенную в настоящее время флэш-память.

До последнего времени IBM проводила исследования в сфере разработки памяти MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), совмещающей достоинства динамической и флэш-памяти. Микросхемы MRAM отличаются высокой скоростью доступа к данным и вместе с тем являются энергонезависимыми. Кроме того, в отличие от флэш-памяти, характеристики чипов MRAM не ухудшаются во время эксплуатации.

Однако, как теперь сообщает CNET News со ссылкой на заявления представителей IBM, в корпорации пришли к выводу, что в долгосрочной перспективе при производстве MRAM могут возникнуть проблемы, связанные с масштабированием технологических процессов. Поэтому корпорация приняла решение сделать упор на разработку так называемой памяти STT-RAM (Spin Torque Transfer RAM).

Принцип работы STT-RAM сводится к изменению направления магнитного поля частиц материала памяти под воздействием электрического тока. Смена направления поля приводит к изменению сопротивления элемента, что расценивается как переход из состояния логического ноля в состояние логической единицы или наоборот.

Предполагается, что основным конкурентом чипов STT-RAM станет память с изменяемым фазовым состоянием (PRAM).

Компании IBM и TDK рассчитывают представить первые образцы памяти STT-RAM, выполненные по 65-нанометровой технологии, в течение четырех лет.