This version of the page http://carat.electron.ua/activities2/ (0.0.0.0) stored by archive.org.ua. It represents a snapshot of the page as of 2014-03-22. The original page over time could change.
Напрямки діяльності - Рідинно-фазна епітаксія складних оксидів ||| Науково-виробниче підприємство КАРАТ
Головна Напрямки діяльності Рідинно-фазна епітаксія складних оксидів

Рідинно-фазна епітаксія складних оксидів

Комплексний лабораторно-виробничий модуль для вирощування тонких шарів оксидів методом рідинно-фазної епітаксії за рівнем технологічної оснащеності не має аналогів у Європі і дозволяє виконувати розробки технологій одержання монокристалічних плівок або епітаксійних структур сполук складних оксидів на сучасному світовому рівні.

 Фахівцями лабораторії рідинно-фазної епітаксії розроблені та розробляються технології, які дозволяють одержувати нові високотехнологічні продукти – епітаксійні структури діаметром до 3-х дюймів (76,2 мм) складнозаміщених рідкісноземельних гранатів для різноманітних застосувань у сучасній електроніці. Висока якість кінцевих продуктів забезпечується виконанням всіх технологічних операцій з підготовки процесів вирощування та фінішної очистки структур у "чистій кімнаті” класу "100”, де постійно підтримуються надзвичайно високі параметри технологічного мікроклімату.

Серед чисельних розробок – нові матеріали магніто- та квантової електроніки:

·                     широка номенклатура епітаксійних структур на основі залізо-ітрієвого гранату для створення нового покоління планарних інтегральних надвисокочастотних пристроїв спін-хвильової електроніки;

·                     структур на основі рідкісноземельних залізних гранатів з гігантським значенням магнітооптичного ефекту Фарадея для візуалізації електромагнітних полів, пристроїв керування оптичними променями та інших задач прикладної магнітооптики;

·                     гранатових структур з контрольованими магнітними параметрами для надчутливих сенсорів малих постійних та змінних магнітних полів;

·                     плівкових структур на основі рідкісноземельних алюмінієвих та галієвих гранатів, що призначені для використання в якості активних середовищ надмініатюрних мікрочіпових лазерів, надпотужних технологічних дискових лазерів та пасивних пристроїв модуляції добротності резонаторів лазерів.

 


--

 Робота на комплексі рідинно-фазної епітаксії монокристалічних плівок складних оксидів.

© 2008-2014 Відкрите акціонерне товариство "Концерн Електрон". Права захищено.   Сайт створено в
RSS