Выпускать 25 нм микросхемы можно будет по DUV-технологии

Lexagon / 09.07.2008 08:41 / ссылка на материал / версия для печати

Периодически на страницах профильных сайтов появляются новости об освоении ведущими производителями микросхем очередных технологий, облегчающих выпуск изделий с более плотным размещением элементов на кристалле. Регулярно возникает вопрос о преодолении рубежа, за которым необходимо будет менять существующие литографические технологии. Например, переходить от литографии с использованием глубокого ультрафиолета (DUV) с длиной волны 193 нм к литографии с использованием сверхжёсткого ультрафиолета (EUV) с длиной волны 13,5 нм.

AMD SEMPRON 3000+ OEM Socket 754 128Kb L2 800МГц цена  26,32 у.е.   Palit Daytona 896Mb GeForce GTX260 PCI-Express DualDVI TVO SLI Retail цена  428,96 у.е.   HDD 750Gb Western Digital Модель: 7500AYYS 7200rpm 16Mb SATA-II цена  224 у.е.

Acer Aspire 5920G-833G25MI Intel Core 2 Duo 2.4GHz/3072Mb/250Gb/ nVidia GeForce Go 9500M GS 512+768Mb/ DVD±RW(DL)/15.4"/Vista Home Premium цена  33'500 руб.   Asus X80L Intel Celeron M 2.0GHz/1024Mb/120Gb SATA/ Intel GMA X3100 128Mb/DVD±RW (DL)/ 14.1"/Windows XP Home Edition RU цена  17'500 руб.   Toshiba Satellite P300-133 Intel Core 2 Duo 2.4GHz/3072Mb/320Gb SATA/ ATI Mobility Radeon HD 3650 512+768Mb/ DVD±RW(DL)/17"/Windows Vista Home Premium цена  39'700 руб.

Как сообщает сайт TG Daily, учёным из знаменитого Массачусетского Технологического Института удалось продлить жизненный цикл используемой с середины девяностых годов литографической технологии, опирающейся на глубокий ультрафиолет с длиной волны 193 нм. Применение интерференционной литографии позволило разработчикам создать на существующем оборудовании элементы с линейным размером, соответствующим 25 нм технологии. До начала применения этого метода в серийных масштабах предстоит решить некоторые проблемы с используемыми материалами, но эта задача представляется авторам посильной.

Интерференционная литография, однако, имеет свои ограничения. С её помощью, например, нельзя создавать микросхемы с соседствующими блоками разной формы. Тем не менее, для производства микросхем памяти, элементов солнечных батарей и некоторых других устройств данный метод вполне пригоден. По оценкам IBM и Intel, переход на EUV-технологию намечен на 2013 год, когда микросхемы будут выпускаться по 16 нм нормам.

	Оцените материал

• Fujitsu скептически оценивает перспективы твёрдотельных винчестеров
• G94b, G96b и G98b: новые 55 нм видеочипы NVIDIA
• Hitachi выпускает винчестеры на 375 Гб пластинах
• Первые данные о разгонном потенциале 45 нм процессоров Intel степпинга E0
• Студия DreamWorks будет создавать мультфильмы с помощью Nehalem и Larrabee
• Выпускать 25 нм микросхемы можно будет по DUV-технологии
• NVIDIA может предать VIA ради Intel Atom?
• Интегрированные чипсеты MCP7A будут поддерживать CUDA
• Фотография разогнанной версии Radeon HD 4870 от Diamond
• Asus Eee PC 904HD: официальное описание и примерные цены
• Core 2 Quad Q6850 (3.0 ГГц): новый 65 нм процессор Intel с четырьмя ядрами