Toshiba и SanDisk открыли фабрику Fab 4 по производству 300-мм кремниевых пластин для флэш-памяти NAND
Полный каталог телефонов
Мобильные термины
Рейтинг интернет-магазинов
Главная
|
Магазины
|
Новости
|
Новости магазинов
|
Доска объявлений
|
О каталоге
|
Размещение цен
|
Трансляция цен
Каталог телефонов
Nokia
Samsung
Sony Ericsson
Motorola
LG
Alcatel
Audiovox
Benefon
BenQ-Siemens
Bird
Kenned
Kyocera
Neonode
PalmOne
Panasonic
Pantech
Philips
Qtek
Sagem
Siemens
Sofi
VK Mobile
Аксессуары
Карты памяти
Bluetooth гарнитуры
Подбор и сравнение
Подбор
Сравнение
Аналитика
Статьи NEW!
Обзоры
Новости
Тарифы операторов
UMC
Киевстар
Golden Telecom
WellCOM
DCC
Сравнить тарифы
на контрактное подключение
на предоплаченные услуги
НАШИ ПАРТНЁРЫ
Аксессуары для мобильных телефонов
Каталог компьютерной техники
ГлавнаяНовости
Toshiba и SanDisk открыли фабрику Fab 4 по производству 300-мм кремниевых пластин для флэш-памяти NAND
05.09.2007
Компании Toshiba и SanDisk сегодня провели традиционную церемонию и устроили торжественный прием по случаю открытия новой передовой фабрики Fab 4 по производству 300-мм кремниевых пластин на предприятии Toshiba Yokkaichi Operations, в префектуре Мие (Mie), Япония.
Корпорация Toshiba начала строительство фабрики Fab 4 в августе 2006 года в ответ на быстрорастущий спрос на флэш-память NAND, использующихся во многих электронных устройствах, в том числе в цифровых медиа плеерах, мобильных телефонах, ПК и картах памяти.
Начало промышленного производства на фабрике Fab 4 ожидается в декабре 2007 года. Мощность фабрики во второй половине 2008 календарного года составит 80 000 кремниевых пластин в месяц. В дальнейшем предусмотрено увеличение производственных мощностей: при определенных капиталовложениях объем производства может быть доведен до 210 000 пластин в месяц, что позволит удовлетворить прогнозируемый рост рыночного спроса. Изначально фабрика Fab 4 будет работать по 56-нанометровому техпроцессу, с планами перехода на 43-нанометровый процесс в марте 2008 года.
Фабрика Fab 4 была построена таким образом, чтобы минимизировать возможные последствия от стихийных бедствий. При конструировании здания использовались самые современные технологии, поглощающие на две трети энергию ударов подземных толчков при землетрясениях. Кроме того, фабрика оснащена несколькими независимыми энергогенераторами (multiple power compensation, MPC), которые моментально включаются в работу при малейшем сбое энергоснабжения, например, в результате удара молнии.
Строительство фабрики Fab 4 было профинансировано корпорацией Toshiba, а закупка и установка современного производственного оборудования осуществляется на деньги совместного предприятия Flash Alliance, Ltd., основанного в июле 2006 года. Доля Toshiba в предприятии составляет 50,1%, а доля SanDisk – 49,9%.
Источник: www.mobile-review.com
Все новости дня
05.09.2007
iPhone круче
05.09.2007
iPhone появился на китайском рынке
05.09.2007
Выпуск мобильного компаньона Palm Foleo отменяется
05.09.2007
Sony Ericsson объявляет об изменениях в руководстве
05.09.2007
Toshiba и SanDisk открыли фабрику Fab 4 по производству 300-мм кремниевых пластин для флэш-памяти NAND
главная
| о каталоге
| связаться с нами
| вход для магазинов
| регистрация
| доска объявлений
| размещение цен
| наши партнеры
