|
ФІЗИЧНІ ОСНОВИ РОБОТИ ТРАНЗИСТОРІВ НАДВИСОКИХ ЧАСТОТ
1. Вступ. Предмет курсу. Основні напрямки розвитку.
2. Технологічні та фізичні обмеження мініатюрізації транзисторів. Конфігурапція металевих електродів. Фізичні обмеження. Технологічні обмеження.
3. Транзистори на гарячих електронах. Транзистори з балістичною інжекцією електронів. Спектроскопія гарячих електронів. Балістичні транзистори з планарнолегованими бар'єрами. Балістичні транзистори з гетероструктурними бар'єрами. Транзистори з переносом заряду в просторі.
4. Транзистори на квантових ефектах. Тунелювання та розмірне квантування. Резонансне тунелювання через подвійний барь'єр з квантовою ямою. Біполярні транзистори з резонансним тунелюванням Штарк-ефект-транзистори. Польові транзистори з резонансним тунелюванням. Структури з подвійним потенціальним бар'єром і квантовою ямою.
ЛІТЕРАТУРА
1. Гуляев Ю.В., Сандомирский В.Б., Суханов А.А. Физические ограничения минимальных размеров элементов современной микроэлектроники// УФН, 1984. - Т. 144. - Вып. 3. - С. 475-495.
2. Матуленис А., Пожела Ю., Реклайтис А. Динамика разогрева электронов. Электроны в полупроводниках. - Т. 1. Многодолинные полупроводники.//Под ред. Ю.Пожелы.
3.Денис В., Пожела Ю. Горячие электроны. - Вильнюс: Минтис, 1971. - 289 с.
4.Тагер А.С. Размерные кувантовые еффекты в субмикронных полупроводниковых структурах и перспективы их применения в электронике СВЧ. 1. Физические основы. //Электронная техника. - Сер. Электроника СВЧ, 1987. - Вып. 9(403). - С. 21-34.
Програму склав:
- В.А.Бродовий, д-р фіз.-мат. наук.
|