|
Бузанева Євгенія Вікторівна
провідний науковий співробітник кафедри напівпровідникової електроніки
Здобула вищу освіту в Київському університеті на радіофізичному факультеті, який закінчила в 1959 р. і залишилась працювати в науково-дослідній лабораторії на кафедрі фізики напівпровідників, де пройшла шлях від інженера до провідного наукового співробітника. Захистила кандидатську дисертацію в 1971 р. “Исследование и моделирование процесов в СВЧ диодах Шоттки” (науковий керівник проф.В.І.Стріха), а в 1988 р. - докторську дисертацію “Электронные процессы в структурах металл-полупроводник с разными типами переходного слоя».
Напрямок наукової діяльності Бузаневой Є.В. в останні роки – дослідження електронної структури наноструктурованих напівпровідників, а також електричних та оптичних явищ в них, що пов’язані з розмірними ефектами. Визначена залежність електронної структури від розмірів нанокристалів в Si для наноструктурованого шару Si. Еспериментально виявлено електролюмінісценцію (514-640 нм) в структурах метал (Al)-наноструктурований Si, яка передбачена теоретично і зумовлена квантово-розмірними ефектами. Розвинута нанотехнологія, створені нові матеріали, які побудовані з наноблоків ДНК/фулерен C60, ДНК/вуглецеві нанотрубки, ДНК/наноSi, ДНК/нанооксиди перехідних металів. В таких самоасамбльованих шарах відкрито електронні і оптичні явища, що дозволяють створити нові елементи електронної пам’яті та перемикачів сенсорів випромінювання.
Результати, одержані в 1995-2001 р.р., підсумовують дослідження, які підтримані Грантами УКНТ “Фундаментальні дослідження”, CRDF Американського національного фонду наукових досліджень (Grant VC1-338), EU ESPRIT Network of Excellence on the Physics and Technology of the Mesoscopic System (PHANTOMS)7360, EU ESPRIT Project, SBLED/NCO 977037 (Si based light emitting diodes).
Бузанева Є.В. є автором однієї та співавтором двох монографіїй, співавтором 187 наукових публікацій, була редактором двох книг NATO Series. Постійно керувала та керує практикою та випускними роботами студентів радіофізичного факультету.
|