This version of the page http://www.rpd.univ.kiev.ua/person/koval.php (0.0.0.0) stored by archive.org.ua. It represents a snapshot of the page as of 2007-12-09. The original page over time could change.
РФФ КНУ ім.Т.Шевченка - Персоналії

Викладачі та співробітники факультету

 
А Б В Г Д Є Ж З І К Л М Н О
П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ю Я  
   Історія
   Кафедри
   Наші лауреати
   Навчальні плани
   Фотоматеріали
   Абітурієнту !!!
   Аспірантура
   та Докторантура
   Традиції та свята
   РФФ.Live
   До 60-річчя Перемоги
   Міжнародні конференції
   Персоналії
   Деканат
   Благодійний фонд
   Online матеріали
   FaQ
   Болонський процес
   Вчена рада
   Методична комісія
   Адресник
   Країна Знань
   НТСА
   Первинна Профспілкова Організація
   Web mail

 
Почта | @univ.kiev.ua
Login
Password


Коваль Ігор Пилипович
( Koval Igor Pylypovych )

1947 р.н., доцент, завідуючий кафедрою кріогенної та мікроелектроніки

  Здобув вищу освіту на радіофізичному факультеті Київського університету, який закінчив у 1970 р. Працював на посаді м.н.с. проблемної лабораторії фізичної електроніки (1970-71 р.р.); аспірантура-стаціонар (1971-75 р.р.). На кафедрі кріогенної та мікроелектроніки працює із моменту її заснування: аспірант - ст.інженер - ассистент (з 1976 р.) - доцент (з 1987 р.). З 2004 року - завідувач кафедрою. В 1985 році захистив кандидатську дисертацію на тему “Исследование состава и химической структуры кремния и его соединений методами электронной спектроскопии” (науковий керівник М.Г.Находкін), Коваль І.П. читає лекційні курси: "Фізична електроніка", "Фізичні основи технології мікроелектроніки", "Телемедицина", "Сучасні методи діагностики поверхні", "Фізика поверхні". Веде практикум “ЕОМ експеримент та МОІ”. Наукові інтереси Коваля І.П. зосереджені в напрямку фізики поверхні, взаємодії електронів середніх енергій з поверхнею твердого тіла. Разом із співавторами ним вперше було відкрито явище промотування окислення атомно-чистої поверхні кремнію субмоношаровими покриттями лужних металів. Було показано, що швидкість оксидування при наявності лужного металу підвищується на декілька порядків, що може бути використано для отримання надтонких шарів оксидів на поверхні кремнію. Так само було винайдено явище інгібування окислення поверхні кремнію субмоношаровими покриттями елементів 5-ї групи (Sb, Bi) при експозиціях у кисні менших за 103 L. Ці обидва явища в комплексі можна використовувати для вирощування наноструктур на поверхні напівпровідників. Досліджено процеси формування надтонких шарів сполук кремнію на поверхні кремнію при бомбардуванні поверхні Si іонами активних газів. На основі цих досліджень може бути розвинута технологія створення надтонких шарів сполук кремнію з контрольованою стехіометрією. Започатковано напрямок моделювання адсорбційних явищ на поверхні твердого тіла та, зокрема, напівпровідників, що базується на напівемпіричних та ab initio квантовохімічних розрахунках.

  І.П.Коваль є автором 96 наукових праць серед яких 2 монографії (И.Ф.Коваль, В.Н.Лысенко, П.В.Мельник, Н.Г.Находкин «Атлас ионизационных спектров» под ред., д.ф.м.н. Н.Г.Находкина К. : Вища школа. 1989, - 232 с.; “Ионизационная спектроскопия” 1992 (під ред. М.Г.Находкіна) - монографія).

  Коваль І.П. є науковим керівником держбюджетних та госпдоговірних робіт.

  ©2007 РФФ    WEB Team