|
Добровольський Валентин Миколайович
1933 р.н., професор кафедри напівпровідникової електроніки, Лауреат Державних премій України в галузі науки
Закінчив кафедру фізики напівпровідників Київського державного університету iм. Т.Г.Шевченка в 1956 р. Після закінчення університету залишився працювавати на кафедрі, де пройшов шлях від асистента до професора. Кандидатську дисертацію захистив у 1962 р. на тему “Исследование некоторых явлений переноса носителей тока в электрическом и магнитном полях” (науковий керівник проф. В.І.Ляшенко). Докторську дисертацію захистив у 1974 р. на тему “Перенос электронов и дырок в полупроводниковых системах с пространственно распределенными характеристиками”. Підготував і читає курси лекцій ”Методи дослідження напівпровідників”, ”Плазма твердих тіл”, ”Явища переносу електронів”, ”Фізика низькорозмiрних систем”, ”Сучасні наукові напрямки радіофізики”, ”Квантово-розмірні структури”, окремі лекції в курсі ”Актуальні проблеми радіофізики і електроніки”. Поставив лабораторні роботи в практикумах з фізики напівпровідників та напівпровідникових приладів.
Основний напрямок наукової діяльності – дослідження плазми напівпровідників, явища переносу електронів та дірок, мікро та наноелектронні структури, розробка засобів збирання напівпровідникових приладів. В результаті виявлено клас сильних ефектів в електронно-дiрковiй плазмі, що обумовленізміною рухливостей носіїв заряду, та подібних явищ у р-п переході; високочастотні коливання температури напівпровідника; ефекти, обумовлені перерозподілом плазми магнітним полем; нові ефекти у структурах метал-туннельно прозорий діелектрик-напівпровідник. Він розвинув теорію плоского електричного поля в інверсійних каналах напівпровідників у присутності магнітного поля, запропонував нові датчики магнітного поля, побудував теорію польового транзистора, в якій враховано дрейфовий та дифузійний струми. Запропонований ним метод визначення знаку носіїв заряду, їх концентрації та рухливості (метод струму Хола) успішно використовують у фізиці поверхні та дослідженнях високоомних напівпровідників та діелектриків.
Проф.Добровольський В.М. є автором понад 180 наукових, методичних праць та винаходів, 1 підручника та 2 монографій. Під його керівництвом захищено 13 кандидатських дисертацій.
В 1966-78 рр. Добровольський В.М. був вченим секретарем Ради по науково-дослідній роботі студентів радіофізичного факультету факультету. Він один з ініціаторів створення в університеті СКТБ “Тороїд” (1984 р.). Десять років був науковим керівником і головою НТР цього підрозділу.
Проф. Добровольський В.М. є двічі Лауреатом Державної премії України в галузі науки і техніки (1982 р. та 1997 р.), лауреатом премії ім. К.Д.Синельникова Національної академії наук України (1989 р.), академіком (1993 р.) та лауреатом (1995 р.) Нагороди Ярослава Мудрого в галузі науки і техніки Академії наук Вищої школи України, Соросівським професором (1997 р.).
|