This version of the page http://www.rpd.univ.kiev.ua/p_n/vtnp.php (0.0.0.0) stored by archive.org.ua. It represents a snapshot of the page as of 2007-12-09. The original page over time could change.
РФФ КНУ ім.Т.Шевченка - Кафедра напівпровідникової електроніки

Кафедра напівпровідникової електроніки

 

Історія

Склад
кафедри

Навчальна
робота

Наукова
робота

Фотоматеріали

Програми
спецкурсів

Видавнича
робота

   Історія
   Кафедри
   Наші лауреати
   Навчальні плани
   Фотоматеріали
   Абітурієнту !!!
   Аспірантура
   та Докторантура
   Традиції та свята
   РФФ.Live
   До 60-річчя Перемоги
   Міжнародні конференції
   Персоналії
   Деканат
   Благодійний фонд
   Online матеріали
   FaQ
   Болонський процес
   Вчена рада
   Методична комісія
   Адресник
   Країна Знань
   НТСА
   Первинна Профспілкова Організація
   Web mail

 
Почта | @univ.kiev.ua
Login
Password

ВТНП та структури на їх основі в напівпровідниковій електроніці


   1.   Вступ. Основні питання, що розглядаються у кусі.
   
   2.   Основні властивості надпровідників.
    Розподіл струмів в надпровідникових колах. Магнітні властивості надпровідників. Ефект Мейснера. Критичне магнітне поле. Вільна енергія надпровідників. Теплоємність та теплопровідність надпровідників.
   
   3.   Фізичні основи явища надпровідності.
    Електродинаміка надпровідників. Рівняння Лондонів. Проникнення магнітного поля в надпровідник. Фізична картина надпровідності, що витікає з рівнянь Лондонів. "Чисті" і "брудні" надпровідники. Фізичні ідеї Піпарда. Довжина когерентності в надпровідниках. Теорія Гінзбурга - Ландау. Квантування магнітного потоку. Надпровідники першого і другого родів. Поверхнева енергія. Задача Купера, основні ідеї теорії БКШ.
   
   4.   Тунельні ефекти в надпровідниках.
    Тунельний перехід метал - діелектрик - метал. Тунелювання в системі метал - діелектрик надпровідник; надпровідник - діелектрик - надпровідник. Експериментальне вивчення енергетичної щілини в надпровідниках. Стаціонарний і нестаціонарний ефект Джозефсону. Квантова інтерференція. Сквіди.
   
   5.   Сучасні уявлення про високотемпературну надпровідність.
    Елементний і фазовий склад ВТНП матеріалів. Структура і склад в оксидних сполуках, що мають властивості високотемпературної надпровідності. Монокристалічні ВТНП матеріали. Методи отримання плівкових структур на основі ВТНП матеріалів. Вплив підкладинок. Газова чутливість ненадпровідних фаз оксидних матеріалів. Методи дослідження поверхонь тонких плівок ВТНП матеріалів. Особливості контактних явищ в ВТНП структурах.
   
   6.   Особливості використання ВТНП матеріалів в кріоелектроніці. Основні типи приладів на основі ВТНП матеріалів в мікроелектроніці. Перспективи розвитку гібридної напівпровідникової мікроелектроніки з використанням високотемпературних надпровідників.
   

ЛІТЕРАТУРА

  1. А.Роузинс, Е.Родерик. Введение в физику сверхпроводимости. М. "Мир"., 1972.

  2. І. М. Дмитерко. Приборкання надпровідності. К."Наукова думка", 1974.

  3. В. З. Кресин. Сверхпроводимость и свехтекучесть. М. "Наука" 1978.

  4. Под ред В. Л. Гинзбурга, А. А. Киржница. Проблема высокотемпературной свехпроводимости. М."Наука", 1977.

  5. Под ред. Д. Нелсона, М. Уиттинхема, Т. Джоржа. Высокотемпературные сверхпроводники. М. "Мир". 1988.

  6. Л.Солимар. Туннульный эффект в сверхпроводниках и его применение. М. "Мир". 1974.

  7. В. Н. Алфеев. Интегральные схемы и микроэлектронные устройства на сверхпроводниках. М. "Радио и связь". 1985.
  

Програму склав:

  •     В.В. Ільченко, д-р фіз.-мат.наук


  ©2007 РФФ    WEB Team