|
ТВЕРДОТІЛЬНА МІКРОЕЛЕКТРОНІКА
1. Вступ. Предмет і задачі курсу. Класифікація виробів мікроелектроніки. Напрямки розвитку мікроелектроніки.
2. Плівкові інтегральні схеми. Гібрідні інтегральні схеми (ГІС). Товстоплівкові та тонкоплівкові ГІС. Одержання електропровідних плівок і формування малюнку міжз’єднань. Пасивні та активні елементи ГІС.
3. Інтегральні схеми на біполярних транзисторах. Характеристика біполярних транзисторів в планарному виконанні. N-p-n та р-n-p транзистори (структура, стандартна технологія виготовлення). Методи ізоляції елементів інтегральних схем (ІС). N-p-n транзистори з діодом Шотткі, супер b-транзистори. Багатоемітерні та багатоколекторні транзистори. Діоди, стабілітрони в біполярних ІС.
4. ІС на уніполярних транзисторах. МДН-транзистори з індукованим каналом. МДН транзистори з вбудованим каналом. Польовий транзистор з керуючим р-n переходом. Самосуміщена технологія виготовлення МДН-транзисторів. МДН-транзистори з подвійною дифузією, V-процес. Транзистори на основі поверхнево-бар’єрних структур. Особливості МДН-транзисторів з малими геометричними розмірами. Короткоканальні ефекти в МДН-транзисторах.
5. КНІ-технологія. Методи отримання КНІ-структур: іонний синтез, зонна перекристалізація, спікання окислених пластин, ізоляція поруватим кремнієм. Особливості ІС, виготовлених за КНІ-технологією.
6. Пасивні елементи ІС. Резистори, конденсатори. Їх види та параметри.
7. Масштабна мініатюрізація елементів в ІС.
8. Основні типи логічних ІС. Основні параметри логічних схем. Транзисторна логіка з безпосередніми зв’язками (ТЛБЗ) та її різновиди. Діодно-транзисторна логіка. Запам’ятовуючі польові транзистори з електронним однополярним перезаписом інформації. ЗП з плаваючим затвором. Інжекція гарячих носіїв заряду з р-n переходу до ізольованого затвору. Інші види запам’ятовуючих пристроїв.
9. Прилади із зарядовим зв’язком (ПЗЗ). Фізичні основи роботи ПЗЗ. Нерівноважне збіднення на вільні носії приповерхневої зони просторового заряду. Релаксація нерівноважного збіднення в МДН-структурах. Механізми переносу заряду. Типи ПЗЗ. Поверхнево-зарядові ПЗЗ. Прилади із захованим каналом. ПЗЗ на ланцюжках МДН-транзисторів. Зони застосування ПЗЗ. Залежність основних електрофізичних параметрів ПЗЗ від конструктивних і технічних факторів. Координатно-чутливі приймачі на основі ПЗЗ структур. Топологія та принципи роботи ФП ПЗЗ.
10. Складання та випробування ІС. Технологія сборки ІС. Основні механізми відмов ІС. Надійність. Методи прискорення випробувань.
ЛІТЕРАТУРА
1. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микролэктроника. - М. : Высш.шк., 1986. - 464 с.
2. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. - М. : Сов. радио, 1980. - 124 с.
3. Технология СБИС. - М.: Мир, 1986, т.1. -439 с., т.2 - 453 с.
4. Тихл У., Лаксон Дж. Интегральные схемы -М.: Мир, 1985. - 501с.
5. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральные схем. - М. : Мир, 1989. - 630 с.
Програму склали:
- С.С. Кильчицька, канд.фіз.мат.наук
- В.К. Розсохатий, канд.фіз.-мат.наук
|