|
ОСНОВИ ФІЗИКИ АМОРФНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ
1. Вступ. Предмет та зміст курсу. Роль аморфних напівпровідників у сучасній науці та техніці. Успіхи в області досліджень некристалічних напівпровідників. Загальна характеристика аморфного стану речовини. Методи виготовлення аморфних напівпровідників.
2. Технологія виготовлення тонких плівок аморфних напівпровідників. Метод випаровування в вакумі. Метод розчигу в плазмі тліючого розряду. Метод катодного розпилу. Порівняльна характеристика фізичних властивостей плівок аморфного кремнію, отриманих різними методами. Якісна відміна напівпровідників з тетраедричною координацією зв`язків. Спосіб формовки, як метод отримання аморфних напівпровідників для нететраедрично координованих елементів. Роль водню у процесі росту плівок аморфного кремнію.
3. Зонна структура аморфних напівпровідників. Локалізовані та делокалізовані стани. Теорема Андерсона. Перехід метал-діелектрик. Експериментальне підтвердження існування цього переходу. Критерії локалізації. Правило Йофе-Регеля. Моделі зонної структури аморфних напівпровідників. Моделі Мотта-Стріта, Спіра-Лекомбера, Фріче-Овшинського. Методи розрахунку зонної структури аморфних напівпровідників.
4. Перенос струму в аморфних напівпровідниках та структурах на їх основі. Особливості дифузії та дрейфу в аморфних напівпровідниках. Критерії коректності понять рухливості, заборонена зона. Термо ЕРС. Ефект Хола в аморфних напівпровідниках. Хід потенціалу в р-п переході та бар`єрі Шотткі на основі аморфних напівпровідників. Вплив на профіль потенціального бар`єру сил зображення, освітлення та розподілу локалізованих станів у щілині рухливості. Випрямлення в контакті метал-аморфний напівпровідгик. Розрахунок ВАХ для надбар`єрного, тунельного, генераційно-рекомбінаційного та стрибкового механізмів переносу струму.
5. Спін-залежні явища в аморфних напівпровідниках. Спін-залежна рекомбінація в некристалічних напівпровідниках. Спін-залежний перенос струму в аморфному кремнії. Оптично детектований електронний парамагнітний резонанс в аморфному кремнії.
6. Напівпровідникові прилади на основі аморфних напівпровідників. Сонячні елементи. Фотодіоди та фотометри. Змішуючі та силові діоди. Оптична пам`ять. Тонкоплівкові транзистори. Перспективи створення напівпровідникових приладів на основі аморфних напівпровідників.
ЛІТЕРАТУРА
1. Бродски М. Аморфні напівпровідники. - М.: Мир, 1982, - 419 с.
2. Мотт Н., Девис Э. Электронные процессы в некристаллических полупроводниках. - М.:Мир, 1982, - 663 с.
3. Мотт Н. Переход металл-диэлектрик. - М.:Мир, 1980, - 275 с.
4. Фельтц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. - М.:Мир, 1986, - 556 с.
5.Хамакава Х. Аморфные полупроводники и приборы на их основе. - М.: Металлургия, 1986, - 488 с.
Програму склав:
- В.В. Ільченко, д-р фіз.-мат.наук
|