This version of the page http://www.rpd.univ.kiev.ua/crio/pn.php (0.0.0.0) stored by archive.org.ua. It represents a snapshot of the page as of 2007-12-09. The original page over time could change.
РФФ КНУ ім.Т.Шевченка - Кафедра кріогенної та мікроелектроніки

Кафедра кріогенної та мікроелектроніки

 

Історія

Склад
кафедри

Навчальна
робота

Наукова
робота

Фотоматеріали

Програми
спецкурсів

   Історія
   Кафедри
   Наші лауреати
   Навчальні плани
   Фотоматеріали
   Абітурієнту !!!
   Аспірантура
   та Докторантура
   Традиції та свята
   РФФ.Live
   До 60-річчя Перемоги
   Міжнародні конференції
   Персоналії
   Деканат
   Благодійний фонд
   Online матеріали
   FaQ
   Болонський процес
   Вчена рада
   Методична комісія
   Адресник
   Країна Знань
   НТСА
   Первинна Профспілкова Організація
   Web mail

 
Почта | @univ.kiev.ua
Login
Password

Напівпровідникова електроніка


   
    Загальні відомості про курс:
   
    Курс для бакалаврів
    Всього 36 год;
   
    Викладачі:
    доц., к.ф.-м.н., Воскобойніков О.М., (тел. +38 044 5260560, E-mail:vam@univ.kiev.ua)
   
    Короткий зміст та мета курсу:
   
    В цьому курсі викладаються основи сучасних уявлень про напівпровідникову електроніку та її застосування. Курс розрахований на майбутніх спеціалістів в галузі радіофізики та електроніки та фізики твердого тіла.
   
    Зміст курсу:
   
    1. Електронні стани в напівпровідниках. Електроні та діркові напівпровідники. Рівноважна та нерівноважна статистика носіїв. Процеси, що призводять до нерівноваги. Нерівноважна функція розподілу. Кінетичні рівняння. Електропровідність напівпровідників. Поверхневі явища. Ефект поля - (8 г.).
   
    2. Контактні явища. Електричні переходи. Електроно-дірковий перехід в рівноважному та нерівноважному стані. Вольт-амперна характеристика ідеального та реального р-п переходів. Емність р-п переходу. Контакт метал-напівпровідник. Гетеропереходи – (6 г.).
   
    3. Напівпровідникові діоди. Випрямляючі низькочастотні та вісокочастотні діоди. Импульсні діоди. Тунельні діоди. Математичні моделі діодів – (4 г.).
   
    4. Біполярні транзистори. Токи та розподіл носіїв в транзисторі. Фізичні параметри. Моделювання транзистора. Робота транзистора в імпульсному та високочастотному режимі – (4 г.).
   
    5. Полеві транзистори. МДП транзистори. Статичні та динамічні характеристики МДП транзисторів. Моделювання МДП транзистора. Робота МДП транзистора на високих частотах та в імпульсному режимах. Транзистори з керуючим переходом метал-напівпровідник та р-п переходом. – (4 г.).
   
    6. Поглинання та випромінювання світла в напівпровідниках. Фотопровідність напівпровідників. Фотоелектричні та випромінюючі напівпровідникові прилади Сонячні перетворювачі. Фотодіоди. Фототранзистори та фоторезистори. Світлодіоди. Напівпровідникові лазери. – (8 г.).
   
    7. Сучасні квантові напівпровідникові прилади на квантових гетероструктурах. Поняття про прилади субмікро та наноелектроніки. – (2 г.).
   
    Передумови:
  • Базовий курс фізики;
  • Курс фізики твердого тіла;
  • Kурс термодінаміки та статфізики;
  • Kурс квантової механіки та електродинаміки;

   

ЛІТЕРАТУРА:

    1. П. Брант, Електроны и фононы в кристаллах, М:: Изд. Моск. Университета. 1983.
    2. В. Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников, Физика полупроводников, М. Изд. “Наука”. 1977
    3. К. Зеегер, Физика полупроводников, М. Изд. “Мир”. 1977.
    4. Зи, Физика полупроводниковых приборов, М. Изд. “Мир”. 1982.
    5. Электронные приборы, под. ред. Шишкина Г.Г. , М. Энергоиздат. 1989.

  ©2007 РФФ    WEB Team