This version of the page http://www.rpd.univ.kiev.ua/crio/nano.php (0.0.0.0) stored by archive.org.ua. It represents a snapshot of the page as of 2007-12-09. The original page over time could change.
РФФ КНУ ім.Т.Шевченка - Кафедра кріогенної та мікроелектроніки

Кафедра кріогенної та мікроелектроніки

 

Історія

Склад
кафедри

Навчальна
робота

Наукова
робота

Фотоматеріали

Програми
спецкурсів

   Історія
   Кафедри
   Наші лауреати
   Навчальні плани
   Фотоматеріали
   Абітурієнту !!!
   Аспірантура
   та Докторантура
   Традиції та свята
   РФФ.Live
   До 60-річчя Перемоги
   Міжнародні конференції
   Персоналії
   Деканат
   Благодійний фонд
   Online матеріали
   FaQ
   Болонський процес
   Вчена рада
   Методична комісія
   Адресник
   Країна Знань
   НТСА
   Первинна Профспілкова Організація
   Web mail

 
Почта | @univ.kiev.ua
Login
Password

Фізика наноелектронних систем


    Загальні відомості про курс:
   
    Курс за вибором для магістрів
    Всього 34 год;
   
    Викладачі:
   
    доц., к.ф.-м.н., Воскобойніков О.М., (тел. +38 044 5260560, E-mail:  vam@univ.kiev.ua)
   
    Короткий зміст та мета курсу:
   
    В цьому курсі викладаються основи сучасних уявлень про фізику наноелектронних систем та їх застосування в сучасній мікро та наноелектрониці. Курс розрахований на майбутніх спеціалістів в галузі радіофізики та електроніки та фізики твердого тіла.
   
    Зміст курсу:
   
    1.Основні принципи побудови наноелектроних систем. Огляд існуючих на практиці наноелектронних систем. Типи напівпровідникових наноструктур - (2 г.)
   
    2.Теоретичні основи фізики наноелектронних систем. 3, 2, 1 та 0 вимірні системию Системипроміжних розмірностей. Принципи формування електронних спектрів. Хвильові функції електронів. Сильна та слаба локалізація.. - (4 г.)
   
    3.Щільність електронних станів. Квантові ями, дроти та крапки. Електронні та діркові стани. Ексітони в наносистемах. Домішкові стани. - (4 г.)
   
    4.Фонони в наноструктурах. Локалізовані фононі стани. Щільності фононних станів в наноструктурах. - (2 г.)
   
    5.Електрон-електронна взвємодія в наноструктурах. Фазові переходи. - (2 г.)
   
    6.Наноелектронні системи в зовнішніш полях. Квантові режими електричних та магнітних полів. Динамічні зміни розмірності. - (4 г.)
   
    7.Діелектричний відгук наноелектронних систем. Екранування електричних статичних та динамічних полів. Плазмони в наноелектронних системах. - (2 г.)
   
    8.Нелокальні ефекти в наноелектронніх системах. Ефекти интерференції. Ефект Бома-Аронова. Мультипотокові квантові наносистеми. - (4 г).
   
    9.Впорядковані та невпорядковані наноелектронні системи.- (2г.)
   
    10.Генерація, модуляція, демодуляція та розповсюдження світла в наноелектронних структурах. (4г.)
   
    11.Наноелектронні пристрої та майбутнє наноелектроніки.- (2г.)
   
    Передумови:
  • Базовий курс фізики;
  • курс термодінаміки та статфізики;
  • курс квантової механіки та електродинаміки;

    •    

      ЛІТЕРАТУРА:

          1. П. Брант, Електроны и фононы в кристаллах, М.: Изд. Моск. Университета. 1983.
          2. Е. Бузанева, Микро-структуры интегральной электроники, М.: Радио и связь. 1990.
          3. F. Capasso, Physics of Quantum Electron Devices, Springer, 1992.
          4. J. Chang, Physics of optoelectronics devices, N. 1995.
          5. L. Andcani, Confined electrons and phonons, N. 1994 .

  ©2007 РФФ    WEB Team