Развитие микроэлектроники

По материалам книг Б.Н.Малиновского

Старт промышленной микроэлектроники Впервые в Европе Ветераны микроэлектроники Несостоявшееся партнерство Отечественным микроэлектронным технологиям - быть! Иллюстрации. Дополнительные материалы

Впервые в Европе

В декабре 1970 г. приказом министра электронной промышленности было создано научно-производственное объединение "Кристалл" (НПО "Кристалл"). В него вошли: НИИ "Микроприбор", Киевский завод полупроводниковых приборов, опытный завод "Микроприбора". Объединению вменялось в обязанность стать головной организацией МЭП по разработке и производству больших интегральных схем на МОП-транзисторах, вначале со степенью интеграции более 1000 транзисторов (для регулярных структур до 20 000 и выше), а на следующем этапе до 100 тыс. и более (размеры элементов уменьшались до 1 микрона).

"Ручные" методы проектирования больших интегральных схем (БИС) и созданная в 1969-1970 гг. примитивная система автоматизированного проектирования для этого не годились. В 1972-1973 гг. в "Микроприборе" была развернута система машинного проектирования на базе БЭСМ-6 и других ЭВМ, позволившая проектировать БИС с высокой степенью интеграции. Время разработки БИС сократилось до 50-70 дней.

Потребовалось разработать сложный комплекс программ, обеспечивающий процесс проектирования БИС. Сотни тысяч компонентов, которые они содержали, надо было соединить между собой в соответствии с функциональным назначением БИС и при этом не сделать ни одной ошибки, иначе огромный труд, потраченный на их изготовление не принесет пользы. Такую работу могла выполнить только машина.

Установка оборудования, подготовка и отладка программ потребовали напряженной трехсменной работы коллектива отдела машинного проектирования топологии (руководитель Таборный) в течение нескольких месяцев.

С 1973 г. основным направлением в Объединении становится разработка и производство больших интегральных схем на МОП-приборах. Первыми были спроектированы несколько типов БИС для различных типов калькуляторов, БИС памяти и др.

Для выпуска новых БИС понадобилось разработать более прогрессивные технологические процессы, обеспечивающие степень интеграции более 100 тыс. транзисторов на кристалле и скорость переключения до десятков мегагерц.

За короткое время были смонтированы современные "чистые" комнаты со сложным технологическим и измерительно-сборочным оборудованием, разработана и внедрена технология изготовления дешевых пластмассовых корпусов БИС и др.

В 1974 г. на заводе полупроводниковых приборов НПО "Кристалл" был полностью освоен технологический процесс изготовления БИС на МОП-приборах, и начато массовое производство БИ