Литовченко Володимир Григорович
|
Народився: 24 грудня 1931, Київ, Україна.
Одружений, двоє дітей Освіта: закінчив Київський Державний Університет, радіофізичний факультет (1955); навчався у аспірантурі (Інститут фізики напiвпровiдникiв Академії Наук України) (1956-1959); кандидат фізико-математичних наук (1960); доктор фізико-математичних наук (1971); професор Київського Державного Університету (з 1974); Член-кореспондент Національної Академії Наук (1985). Службова діяльність: інженер-дослідник у галузі напівпровідників (1955-1956); аспірант (інститут фізики напівпровідників Академії Наук України) (1956-1959); науковий співробітник (1956-1962), старший науковий співробітник (1962-1970). Завідувач відділом (з 1970 до теперішнього часу); завідувач відділенням інституту фізики напівпровідників "Фізичні основи інтегральної мікроелектроніки"; Голова секції "інтегральна електроніка" Національної Ради України "Фізика напівпровідників"; Член Національної Ради з питань науки і технологій. Наукові публікації (книги, статті, т.д.): 9 книг по фізиці поверхні і тонким плівкам, включаючи опис явищ у квантово-розмірних системах; 16 оглядів і брошур; 250 наукових статей у різних наукових журналах, таких як Surface Science, Thin Solid Films, ЖТФ, Повідомлення Академії Наук, УФЖ, т.д.; більш ніж 30 резюме на різних міжнародних конференціях, включаючи CINO (Conf. on nonlinear optics), INFOS (insul. films on semiconductors), Europ. Surf. Sci. Conf.. Членство у асоціаціях, наукових організаціях, редакційних колегіях, т.д.: член експертної ради Українського Фізичного Товариства; член Українського відділення міжнародного товариства оптичної техніки (SPIE, Int. Soc. Optics Eng.); член редакційних колегій міжнародних наукових журналів: Surfase Science (1963-1982); Thin Solid Films (1987-1991); Micromechanics and Microengineering (з 1990 до теперішнього часу); член редакції Українського Фізичного Журналу (з 1988 до теперішнього часу) і періодичного видання "Оптоелектроніка і напівпровідникова техніка" (з 1975 до теперішнього часу); член програмних комітетів і запрошений доповідач численних конференцій по фізиці напівпровідників і тонких плівок. Нагороди, т.д.: Лауреат державної премії УРСР в області науки (1970); премія ім. Синельникове (1995 р.), Засл. діяч науки (1996 р.), почесний проф. фонду Сороса (США) (1997 р.), Лауреат державної премії України (1998 р.), біографічна довідка в Українському енциклопедичному виданні. Область наукової діяльності: фізика поверхні (включаючи напівпровідники і діелектрики); явлення на межах поділу шаруватих і багатофазних структур (діелектрик-напівпровідник ДН, метал-напівпровідник MН, метал-діелектрик-напівпровідник МДН, т.д.); фізика тонких плівок, квантово-розмірні структури (квантові ями, надгратки, т.д.). дослідження явлень квантування, нові поляризаційні ефекти, нелінійні квантові ефекти, лазерні ефекти, змішування електромагнітних мод різних типів квантово-розмірних систем і генерація високочастотного випромінювання, матеріалознавство (надтонкі плівки і виготовлення шаруватих структур з надтонкими плівками); планарний масоперенос і дослідження стимульованих гетерних процесів. Головні наукові досягнення: відкриття ряду ефектів, таких як люмінесценція поверхні напівпровідників (1974), підсилене планарне розповсюдження двовимірної плазми (1983); підпорогове стимульоване (лазерне) випромінювання у 2D-QW гетероструктурах (1986); аномальне підсилене планарне геттерування та масоперенос; розщеплення зон у матеріалах з нульовою забороненою зоною при зв`язуванні 2точкових дефектів. |